M.2(P80) 3IE2
SKU
M.2(P80) 3IE2
FL-M.2(P80) 3IE2
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C | 0° bis 70°C
Datenblatt für FL-M.2(P80) 3IE2
Allgemein
SKU / Artikelnummer FL-M.2(P80) 3IE2DHM28-32GM61BCAQC, DHM28-32GM61BWAQC, DHM28-64GM61BCAQC, DHM28-64GM61BWAQC, DHM28-A28M61BCAQC, DHM28-A28M61BWAQC, DHM28-B56M61BCAQC, DHM28-B56M61BWAQC
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
Flash Speichermedien
Serie 3ME2
Anschluss (Interface) PCI Express Gen. 3
Flash Aufbau M.2 (NGFF)
Flash Type MLC
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit) 20000
Kapazität 32 GB
64 GB
128 GB
256 GB
Controller 88NV1160
Channel 2
4
Maximale Stromaufnahme 2,87 W
Performance Flash Chip Kioxia (Toshiba) 15 nm
Messmittel CrystalDiskMark 6.0.2
Sequentielles Lesen 1.000 MB/s
1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben 300 MB/s
580 MB/s
700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 34000 IOPS
51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 43000 IOPS
61000 IOPS
64000 IOPS
Wärmesensor Ja
TRIM wird unterstützt
Flash Mode Synchron NAND, Kioxia (Toshiba) 15 nm
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
-40° bis 85°C
Lagerung -55° bis 95°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor M.2 (P80)
Typ 2280
Länge 80 mm
Breite 22 mm
Höhe 4 mm
Vibration Vibration 20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz Standard IEC 68-2-6
Schock Messdaten 1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz Standard IEC 68-2-27
Gewicht 7 g
MTBF MTBF 25°C 3.000.000 h
Berechnungsmodell Telcordia SR - 332 GB
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
FCC Class B Ja
Weitere Zertifikate / Konformitäten EN 55024, EN 55032, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT), EN 61000-4-5 (2 kV Surge protection), EN 61000-4-6, EN 61000-4-8, EN 61000-4-11
RoHS konform Ja
8 Standardvarianten gefunden

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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb0° bis 70°C
Flash SpeichermedienKapazität32 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.000 MB/s
Sequentielles Schreiben300 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen34000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben43000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Flash SpeichermedienKapazität32 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.000 MB/s
Sequentielles Schreiben300 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen34000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben43000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb0° bis 70°C
Flash SpeichermedienKapazität64 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben580 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben61000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Flash SpeichermedienKapazität64 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben580 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben61000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb0° bis 70°C
Flash SpeichermedienKapazität128 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben64000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Flash SpeichermedienKapazität128 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben64000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb0° bis 70°C
Flash SpeichermedienKapazität256 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben64000 IOPS
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Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Flash SpeichermedienKapazität256 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.350 MB/s
Sequentielles Schreiben700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben64000 IOPS
Konfiguration noch nicht komplett.

Mechanik / UmgebungTemperaturBetrieb
Flash SpeichermedienKapazität
Channel
PerformanceSequentielles Lesen
Sequentielles Schreiben
4KB Random (QD32) Lesen
4KB Random (QD32) Schreiben