M.2(P80) 3TE4
SKU
M.2(P80) 3TE4
FL-M.2(P80) 3TE4
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
Datenblatt für FL-M.2(P80) 3TE4
Allgemein
SKU / Artikelnummer FL-M.2(P80) 3TE4DEM28-01TDB1ECAQH, DEM28-A28DB1ECADH, DEM28-B56DB1ECAQH, DEM28-C12DB1ECAQH
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
Flash Speichermedien
Serie 3TE4
Anschluss (Interface) PCI Express Gen. 3
Flash Aufbau M.2 (NGFF)
Flash Type 3D TLC
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit) 10000
Kapazität 1.024 GB
128 GB
256 GB
512 GB
Controller ID206 PCIe3.0x4
Channel 2
4
Maximale Stromaufnahme 3 W
Performance Flash Chip Micron
Messmittel CrystalDiskMark 6.0.2
Sequentielles Lesen 1.900 MB/s
2.100 MB/s
970 MB/s
Sequentielles Schreiben 1.000 MB/s
1.500 MB/s
1.700 MB/s
520 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 53000 IOPS
100000 IOPS
158000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 123000 IOPS
130000 IOPS
133000 IOPS
135000 IOPS
Wärmesensor Ja
Flash Mode 3D NAND
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Lagerung -55° bis 95°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor M.2 (P80)
Typ 2280
Länge 80 mm
Breite 22 mm
Höhe 4 mm
Vibration Vibration 20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz Standard IEC 68-2-6
Schock Messdaten 1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz Standard IEC 68-2-27
MTBF MTBF 25°C 3.000.000 h
Berechnungsmodell Telcordia SR - 332 GB
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
FCC Class B Ja
Weitere Zertifikate / Konformitäten EN 55024, EN 55032, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT), EN 61000-4-5 (2 kV Surge protection), EN 61000-4-6, EN 61000-4-8, EN 61000-4-11
RoHS konform Ja
4 Standardvarianten gefunden

DEM28-01TDB1ECAQH (EOL)    Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
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Flash SpeichermedienKapazität1 TB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen2.100 MB/s
Sequentielles Schreiben1.700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen158000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben135000 IOPS
DEM28-A28DB1ECADH (EOL)    Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
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Flash SpeichermedienKapazität128 GB
Channel2
PerformanceSequentielles Lesen970 MB/s
Sequentielles Schreiben520 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen53000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben123000 IOPS
DEM28-B56DB1ECAQH (EOL)    Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
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Flash SpeichermedienKapazität256 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen1.900 MB/s
Sequentielles Schreiben1.000 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen100000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben130000 IOPS
DEM28-C12DB1ECAQH (EOL)    Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
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Flash SpeichermedienKapazität512 GB
Channel4
PerformanceSequentielles Lesen2.100 MB/s
Sequentielles Schreiben1.500 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen158000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben133000 IOPS
Konfiguration noch nicht komplett.

Flash SpeichermedienKapazität
Channel
PerformanceSequentielles Lesen
Sequentielles Schreiben
4KB Random (QD32) Lesen
4KB Random (QD32) Schreiben