M3MT-8GSSW
SKU
M3MT-8GSSW
DDR3-M3MT-8GSSW
MINI-RDIMM-DDR3/3L-8GB VLP
Datenblatt für DDR3-M3MT-8GSSW
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR3-M3MT-8GSSWM3MT-8GSSWCPC-E, M3MT-8GSSWLPC-E
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 244 Pin Mini-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory Type DDR3
DIMM Type Mini DIMM
IC Data Rate 1866 1.35v
Kapazität 8 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 512Mx8
PCB S/N W
Grade Commercial
Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
CL 11
Die Version E
ECC wird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich 0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.35V
1.50V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor MINI DIMM
Länge 82 mm
Höhe 19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
2 Standardvarianten gefunden

M3MT-8GSSWCPC-E   Innodisk, M3MT-8GSSWCPC-E, -
>>
SystemSpeicherGradeCommercial
StromversorgungEingangsspannung1.50V
M3MT-8GSSWLPC-E   Innodisk, M3MT-8GSSWLPC-E, -
>>
SystemSpeicherGradeLow Voltage Commercial
StromversorgungEingangsspannung1.35V
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherGrade
StromversorgungEingangsspannung