M4DI-BGS2Q50K-A
SKU
M4DI-BGS2Q50K-A
DDR4-M4DI-BGS2Q50K-A
SO-DIMM-DDR4-32GB (by Sorting Wide Temperature)
Vergleichsliste
Datenblatt für DDR4-M4DI-BGS2Q50K-A
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4-M4DI-BGS2Q50K-A
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type ECC Unbuffered SO DIMM
IC Data Rate 2666
Kapazität 32 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 2Gx8
PCB S/N Q
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
CL 19
Die Version A
ECC wird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (16 GB)
Temperaturbereich -40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor SO-DIMM
Länge 70 mm
Höhe 30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja