M4RE
SKU
M4RE
DDR4-M4RE
Innodisk, DDR4-M4RE, -
Datenblatt für DDR4-M4RE
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4-M4REM4RE-8GS1A5UN-C, M4RE-AGS1B5UN-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-BGM2DCUN-E, M4RE-8GS1A50M-C, M4RE-AGS1B50M-C, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-BGM2DC0M-E, M4RE-4GSSA50M-F, M4RE-4GSSA5UN-F, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB5UN-F
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 288 Pin DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Registered DIMM
Kapazität 4 GB
8 GB
16 GB
32 GB
IC Brand Micron
Samsung
IC Organization 1Gx8
2Gx8
512Mx8
PCB S/N A
B
D
Grade Commercial
Wide Temperature -40~+85°C
CL 21
22
DIMM Datarate 2666
2933
Die Version C
E
F
Fixed Die Ja
ECC wird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 3.9 µS
Temperaturbereich 0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 85°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor DIMM
Länge 133 mm
Höhe 19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
12 Standardvarianten gefunden

M4RE-4GSSA50M-F   Innodisk, M4RE-4GSSA50M-F, -
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SystemSpeicherKapazität4 GB
CL22
IC Organization512Mx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
Die VersionF
PCB S/NA
M4RE-4GSSA5UN-F   Innodisk, M4RE-4GSSA5UN-F, -
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SystemSpeicherKapazität4 GB
CL21
IC Organization512Mx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
Die VersionF
PCB S/NA
M4RE-8GS1A50M-C   Innodisk, M4RE-8GS1A50M-C, -
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL22
IC Organization1Gx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
Die VersionC
PCB S/NA
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL21
IC Organization1Gx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
Die VersionC
PCB S/NA
M4RE-8GSSB50M-F   Innodisk, M4RE-8GSSB50M-F, -
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL22
IC Organization512Mx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
Die VersionF
PCB S/NB
M4RE-8GSSB5UN-F   Innodisk, M4RE-8GSSB5UN-F, -
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL21
IC Organization512Mx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
Die VersionF
PCB S/NB
M4RE-AGS1B50M-C   Innodisk, M4RE-AGS1B50M-C, -
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SystemSpeicherKapazität16 GB
CL22
IC Organization1Gx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
Die VersionC
PCB S/NB
M4RE-AGS1B5UN-C   Innodisk, M4RE-AGS1B5UN-C, -
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SystemSpeicherKapazität16 GB
CL21
IC Organization1Gx8
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
Die VersionC
PCB S/NB
M4RE-AGS1DC0M-C   Innodisk, M4RE-AGS1DC0M-C, -
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SystemSpeicherKapazität16 GB
CL22
IC Organization1Gx8
IC BrandSamsung
GradeCommercial
DIMM Datarate2666
Die VersionC
PCB S/ND
M4RE-AGS1DCUN-C   Innodisk, M4RE-AGS1DCUN-C, -
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SystemSpeicherKapazität16 GB
CL21
IC Organization1Gx8
IC BrandSamsung
GradeCommercial
DIMM Datarate2933
Die VersionC
PCB S/ND
M4RE-BGM2DC0M-E   Innodisk, M4RE-BGM2DC0M-E, -
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SystemSpeicherKapazität32 GB
CL22
IC Organization2Gx8
IC BrandMicron
GradeCommercial
DIMM Datarate2666
Die VersionE
PCB S/ND
M4RE-BGM2DCUN-E   Innodisk, M4RE-BGM2DCUN-E, -
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SystemSpeicherKapazität32 GB
CL21
IC Organization2Gx8
IC BrandMicron
GradeCommercial
DIMM Datarate2933
Die VersionE
PCB S/ND
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherKapazität
CL
IC Organization
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N