M4S0-4GSSNI
SKU
M4S0-4GSSNI
DDR4-M4S0-4GSSNI
SO-DIMM-DDR4-4GB
Datenblatt für DDR4-M4S0-4GSSNI
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4-M4S0-4GSSNIM4S0-4GSSNIIK, M4S0-4GSSNIRG, M4S0-4GSSNISJ
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate Non-Fixed
Kapazität 4 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 512Mx8
PCB S/N N
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
2400
2666
CL 15
17
19
ECC wird nicht unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich -40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor SO-DIMM
Länge 70 mm
Höhe 30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
3 Standardvarianten gefunden

M4S0-4GSSNIIK   Innodisk, M4S0-4GSSNIIK, -
>>
SystemSpeicherCL19
DIMM Datarate2666
M4S0-4GSSNIRG   Innodisk, M4S0-4GSSNIRG, -
>>
SystemSpeicherCL15
DIMM Datarate2133
M4S0-4GSSNISJ   Innodisk, M4S0-4GSSNISJ, -
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SystemSpeicherCL17
DIMM Datarate2400
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherCL
DIMM Datarate