M4S0
SKU
M4S0
DDR4 WT-M4S0
Innodisk, DDR4 WT-M4S0, -
Datenblatt für DDR4 WT-M4S0
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4 WT-M4S0M4S0-4GMSNIRG, M4S0-4GMSNISJ, M4S0-4GSSN5EM, M4S0-4GSSN5IK, M4S0-4GSSN5RG, M4S0-4GSSN5SJ, M4S0-4GSSN5UN, M4S0-4GSSNIEM, M4S0-4GSSNIIK, M4S0-4GSSNIRG, M4S0-4GSSNISJ, M4S0-4GSSNIUN, M4S0-8GM1NISJ, M4S0-8GMSOIRG, M4S0-8GMSOISJ, M4S0-8GS1N5EM, M4S0-8GS1N5IK, M4S0-8GS1N5RG, M4S0-8GS1N5SJ, M4S0-8GS1N5UN, M4S0-8GSSO5IK, M4S0-8GSSO5RG, M4S0-8GSSO5SJ, M4S0-8GSSOIRG, M4S0-8GSSOISJ, M4S0-AGM1OIRG, M4S0-AGM1OISJ, M4S0-AGS1O5EM, M4S0-AGS1O5IK, M4S0-AGS1O5RG, M4S0-AGS1O5SJ, M4S0-AGS1O5UN, M4S0-AGS1OIEM, M4S0-AGS1OIIK, M4S0-AGS1OIRG, M4S0-AGS1OISJ, M4S0-AGS1OIUN, M4S0-BGS2O5EM, M4S0-BGS2O5IK, M4S0-BGS2O5UN
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate Non-Fixed
Kapazität 4 GB
8 GB
16 GB
32 GB
IC Brand Micron
Samsung
IC Organization 1Gx8
2Gx8
512Mx8
PCB S/N N
O
Grade Wide Temperature -40~+85°C
CL 15
17
19
21
22
DIMM Datarate 2133
2400
2666
2933
3200
ECC wird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
Single-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS
Temperaturbereich -40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor SO-DIMM
Länge 70 mm
Höhe 30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
40 Standardvarianten gefunden

M4S0-4GMSNIRG (EOL)    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL15
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NN
M4S0-4GMSNISJ (EOL)    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL17
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NN
M4S0-4GSSN5EM    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL22
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate3200
PCB S/NN
M4S0-4GSSN5IK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL19
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NN
M4S0-4GSSN5RG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL15
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NN
M4S0-4GSSN5SJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL17
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NN
M4S0-4GSSN5UN    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL21
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
PCB S/NN
M4S0-4GSSNIEM    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL22
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate3200
PCB S/NN
M4S0-4GSSNIIK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL19
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NN
M4S0-4GSSNIRG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL15
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NN
M4S0-4GSSNISJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL17
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NN
M4S0-4GSSNIUN    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität4 GB
CL21
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
PCB S/NN
M4S0-8GM1NISJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL17
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NN
M4S0-8GMSOIRG (EOL)    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL15
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NO
M4S0-8GMSOISJ (EOL)    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL17
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NO
M4S0-8GS1N5EM    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL22
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate3200
PCB S/NN
M4S0-8GS1N5IK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL19
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NN
M4S0-8GS1N5RG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL15
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NN
M4S0-8GS1N5SJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL17
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NN
M4S0-8GS1N5UN    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL21
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
PCB S/NN
M4S0-8GSSO5IK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL19
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NO
M4S0-8GSSO5RG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL15
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NO
M4S0-8GSSO5SJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL17
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NO
M4S0-8GSSOIRG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL15
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NO
M4S0-8GSSOISJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität8 GB
CL17
IC Organization512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NO
M4S0-AGM1OIRG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL15
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NO
M4S0-AGM1OISJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL17
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandMicron
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NO
M4S0-AGS1O5EM    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL22
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate3200
PCB S/NO
M4S0-AGS1O5IK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL19
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NO
M4S0-AGS1O5RG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL15
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NO
M4S0-AGS1O5SJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL17
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NO
M4S0-AGS1O5UN    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL21
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
PCB S/NO
M4S0-AGS1OIEM    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL22
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate3200
PCB S/NO
M4S0-AGS1OIIK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL19
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NO
M4S0-AGS1OIRG    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL15
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133
PCB S/NO
M4S0-AGS1OISJ    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL17
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400
PCB S/NO
M4S0-AGS1OIUN    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität16 GB
CL21
IC Organization1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
PCB S/NO
M4S0-BGS2O5EM    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität32 GB
CL22
IC Organization2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate3200
PCB S/NO
M4S0-BGS2O5IK    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität32 GB
CL19
IC Organization2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2666
PCB S/NO
M4S0-BGS2O5UN    Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
>>
SystemSpeicherKapazität32 GB
CL21
IC Organization2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC BrandSamsung
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2933
PCB S/NO
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherKapazität
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
PCB S/N