M4SE-AGS1OC
SKU
M4SE-AGS1OC
DDR4-M4SE-AGS1OC
Innodisk, DDR4-M4SE-AGS1OC, -
Datenblatt für DDR4-M4SE-AGS1OC
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4-M4SE-AGS1OCM4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate 3200
Kapazität 16 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 1Gx8
PCB S/N O
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Original specification
CL 21
22
Die Version C
ECC wird nicht unterstützt
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich 0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor SO-DIMM
Länge 70 mm
Höhe 30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
2 Standardvarianten gefunden

M4SE-AGS1OC0M-C   Innodisk, M4SE-AGS1OC0M-C, -
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SystemSpeicherCL22
DIMM DatarateOriginal specification
M4SE-AGS1OCUN-C   Innodisk, M4SE-AGS1OCUN-C, -
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SystemSpeicherCL21
DIMM Datarate2933
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherCL
DIMM Datarate