M4SI-AGS1OI
SKU
M4SI-AGS1OI
DDR4-M4SI-AGS1OI
SO-DIMM-DDR4-16GB
Datenblatt für DDR4-M4SI-AGS1OI
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4-M4SI-AGS1OIM4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate 2666
Kapazität 16 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 1Gx8
PCB S/N O
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
2400
Original specification
CL 15
17
19
Die Version C
ECC wird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich -40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor SO-DIMM
Länge 70 mm
Höhe 30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
3 Standardvarianten gefunden

M4SI-AGS1OI0K-C   Innodisk, M4SI-AGS1OI0K-C, -
>>
SystemSpeicherCL19
DIMM DatarateOriginal specification
M4SI-AGS1OIRG-C   Innodisk, M4SI-AGS1OIRG-C, -
>>
SystemSpeicherCL15
DIMM Datarate2133
M4SI-AGS1OISJ-C   Innodisk, M4SI-AGS1OISJ-C, -
>>
SystemSpeicherCL17
DIMM Datarate2400
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherCL
DIMM Datarate