M4SI
SKU
M4SI
DDR4 VLP-M4SI
Innodisk, DDR4 VLP-M4SI, -
Datenblatt für DDR4 VLP-M4SI
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4 VLP-M4SIM4SI-4GSS3C0K-F, M4SI-4GSS3CRG-F, M4SI-4GSS3CSJ-F, M4SI-8GS13C0K-C, M4SI-8GS13CRG-C, M4SI-8GS13CSJ-C
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate 2666
Kapazität 4 GB
8 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 1Gx8
512Mx8
PCB S/N 3
Grade Commercial
CL 15
17
19
DIMM Datarate 2133
2400
2666
Die Version C
F
ECC wird nicht unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS
Temperaturbereich 0°C~ 85°C
tREFI Parameter 2 Temperaturbereich 0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 85°C
Lagerung -55° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor SO-DIMM
Länge 70 mm
Höhe 18 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
6 Standardvarianten gefunden

M4SI-4GSS3C0K-F   Innodisk, M4SI-4GSS3C0K-F, -
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SystemSpeicherKapazität4 GB
CL19
IC Organization512Mx8
DIMM Datarate2666
Die VersionF
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SystemSpeicherKapazität4 GB
CL15
IC Organization512Mx8
DIMM Datarate2133
Die VersionF
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SystemSpeicherKapazität4 GB
CL17
IC Organization512Mx8
DIMM Datarate2400
Die VersionF
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL19
IC Organization1Gx8
DIMM Datarate2666
Die VersionC
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL15
IC Organization1Gx8
DIMM Datarate2133
Die VersionC
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SystemSpeicherKapazität8 GB
CL17
IC Organization1Gx8
DIMM Datarate2400
Die VersionC
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherKapazität
CL
IC Organization
DIMM Datarate
Die Version