M4UE-8GS1JC
SKU
M4UE-8GS1JC
DDR4-M4UE-8GS1JC
Innodisk, DDR4-M4UE-8GS1JC, -
Datenblatt für DDR4-M4UE-8GS1JC
Allgemein
SKU / Artikelnummer DDR4-M4UE-8GS1JCM4UE-8GS1JC0M-C, M4UE-8GS1JCUN-C
Produktgrunddaten
Hersteller Innodisk
System
Speicher Aufbau 288 Pin DIMM DDR4
Memory Type DDR4
DIMM Type Unbuffered DIMM
IC Data Rate 3200
Kapazität 8 GB
IC Brand Samsung
IC Organization 1Gx8
PCB S/N J
Grade Commercial
DIMM Datarate 2933
Original specification
CL 21
22
Die Version C
ECC wird nicht unterstützt
tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich 0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung 1.2V
Mechanik / Umgebung
Temperatur Betrieb 0° bis 85°C
Lagerung -50° bis 100°C
Relative Luftfeuchtigkeit Betrieb 10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung 5 bis 95%, nicht kondensierend
Abmaße Formfaktor DIMM
Länge 133 mm
Höhe 31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CE Ja
RoHS konform Ja
2 Standardvarianten gefunden

M4UE-8GS1JC0M-C   Innodisk, M4UE-8GS1JC0M-C, -
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SystemSpeicherCL22
DIMM DatarateOriginal specification
M4UE-8GS1JCUN-C   Innodisk, M4UE-8GS1JCUN-C, -
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SystemSpeicherCL21
DIMM Datarate2933
Konfiguration noch nicht komplett.

SystemSpeicherCL
DIMM Datarate